Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB против SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

-->

Средняя оценка

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

22 57

Около 61% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.7 9.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.7 7.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 19200

Около 1.11% выше полоса пропускания

SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

22 57
Скорость чтения, Гб/сек

17.7 9.4
Скорость записи, Гб/сек

12.7 7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

21300 19200

Other

Описание

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3075 2170

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR2 1066G 2GB

A-DATA Technology DDR2 1066G 2GB

A-DATA Technology DDR3 1333+ 2GB

A-DATA Technology DDR3 1333+ 2GB

модули RAM

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

V-GEN D4H8GS24A8 8GB

V-GEN D4H8GS24A8 8GB

модули RAM

Kingston HX316C10F/8 8GB

Kingston HX316C10F/8 8GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Kingston 9905665-021.A00G 4GB

Kingston 9905665-021.A00G 4GB

модули RAM

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB

Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB

модули RAM

Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB

Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB

Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB

Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB

модули RAM

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB

Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB

Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB

модули RAM

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB

PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB

модули RAM