RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Сравнить
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB против Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
-->
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
26
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.6
17.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
12.7
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
26
Скорость чтения, Гб/сек
17.7
18.6
Скорость записи, Гб/сек
12.7
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3075
3756
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link