Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB

总分
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

总分
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Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    22 left arrow 26
    左右 15% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    18.6 left arrow 17.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    16.2 left arrow 12.7
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    22 left arrow 26
  • 读取速度,GB/s
    17.7 left arrow 18.6
  • 写入速度,GB/s
    12.7 left arrow 16.2
  • 内存带宽,mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    3075 left arrow 3756
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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