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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
25
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
23
读取速度,GB/s
12.6
16.7
写入速度,GB/s
7.2
13.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
3025
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
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