RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Compara
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
25
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
23
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2051
3025
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link