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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
45
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
33
读取速度,GB/s
11.9
20.0
写入速度,GB/s
8.1
14.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
3462
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
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