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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
16
44
左右 -175% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.1
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
16
读取速度,GB/s
11.2
22.1
写入速度,GB/s
8.1
18.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3906
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Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
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Kingston HX318C10FK/4 4GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
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Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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