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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB

总分
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

总分
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A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB

差异 规格 评论

差异

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB 需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    3 left arrow 16.3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    870.4 left arrow 12.2
    测试中的平均数值
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB 需要考虑的原因
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    58 left arrow 87
    左右 -50% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 5300
    左右 4.83 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    87 left arrow 58
  • 读取速度，GB/s
    3,155.6 left arrow 16.3
  • 写入速度，GB/s
    870.4 left arrow 12.2
  • 内存带宽，mbps
    5300 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    417 left arrow 2591

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较

takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

最新比较

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Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
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Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
内存RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
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内存RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
内存RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Kingston KHYXPX-MID 8GB
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内存RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
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G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
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内存RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Kingston 9905702-136.A00G 8GB
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内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
内存RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
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内存RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
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内存RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
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INTENSO 5641160 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
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Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
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内存RAM
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
内存RAM
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
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G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
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