RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
58
87
Autour de -50% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
58
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
2591
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link