RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
58
87
Autour de -50% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
58
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
2591
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP536726-H41-ELCUW 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link