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AMD AE34G1601U1 4GB
INTENSO 5641160 8GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs INTENSO 5641160 8GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
INTENSO 5641160 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
INTENSO 5641160 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
67
左右 -191% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
INTENSO 5641160 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
23
读取速度,GB/s
6.8
16.1
写入速度,GB/s
3.6
10.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
2613
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
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Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
INTENSO 5641160 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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INTENSO 5641160 8GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
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Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
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