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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Jinyu 16GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Jinyu 16GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Jinyu 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Jinyu 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
69
左右 -229% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.9
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Jinyu 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
21
读取速度,GB/s
3,325.1
17.3
写入速度,GB/s
1,441.2
12.9
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
3209
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM的比较
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
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Jinyu 16GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kllisre 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
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