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AMD AE34G2139U2 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
比较
AMD AE34G2139U2 4GB vs V-GEN D4H4GS24A8 4GB
总分
AMD AE34G2139U2 4GB
总分
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G2139U2 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
56
94
左右 40% 更低的延时
需要考虑的原因
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
7.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.9
5.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G2139U2 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
94
读取速度,GB/s
7.4
14.7
写入速度,GB/s
5.6
7.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1462
1506
AMD AE34G2139U2 4GB RAM的比较
AMD R938G2130U2S 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
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