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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Inmos + 256MB
比较
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Inmos + 256MB
总分
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
总分
Inmos + 256MB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
30
左右 7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.3
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Inmos + 256MB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.1
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
16800
10600
左右 1.58 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Inmos + 256MB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
30
读取速度,GB/s
13.3
11.5
写入速度,GB/s
8.5
9.1
内存带宽,mbps
10600
16800
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
排名PassMark (越多越好)
2213
2318
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Inmos + 256MB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
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