Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Inmos + 256MB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Inmos + 256MB

Puntuación global
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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Puntuación global
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Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    28 left arrow 30
    En 7% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.3 left arrow 11.5
    Valor medio en las pruebas
Inmos + 256MB Razones a tener en cuenta
Inmos + 256MB
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  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.1 left arrow 8.5
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    16800 left arrow 10600
    En 1.58 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Inmos + 256MB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    28 left arrow 30
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.3 left arrow 11.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.5 left arrow 9.1
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 16800
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow no data
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2213 left arrow 2318
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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