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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Inmos + 256MB
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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Inmos + 256MB
Pontuação geral
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Inmos + 256MB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
30
Por volta de 7% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.3
11.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Inmos + 256MB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
16800
10600
Por volta de 1.58 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Inmos + 256MB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
30
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
11.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
9.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
16800
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2213
2318
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Inmos + 256MB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
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