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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Inmos + 256MB
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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Inmos + 256MB
Pontuação geral
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Inmos + 256MB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
30
Por volta de 7% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.3
11.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Inmos + 256MB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
16800
10600
Por volta de 1.58 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Inmos + 256MB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
30
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
11.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
9.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
16800
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2213
2318
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Inmos + 256MB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
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