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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Jinyu 16GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Jinyu 16GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Jinyu 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Jinyu 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
48
左右 -129% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Jinyu 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
21
读取速度,GB/s
8.9
17.3
写入速度,GB/s
5.9
12.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3209
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Jinyu 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4D1 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
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