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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
61
69
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
1,864.6
1,441.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
69
61
读取速度,GB/s
3,325.1
4,521.7
写入速度,GB/s
1,441.2
1,864.6
内存带宽,mbps
5300
5300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
775
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
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Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
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