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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
38
左右 24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
7.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
38
读取速度,GB/s
16.9
9.0
写入速度,GB/s
12.0
7.1
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
1546
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
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