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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
44
左右 -83% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
24
读取速度,GB/s
11.2
16.8
写入速度,GB/s
8.1
12.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2946
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
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Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB RAM的比较
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F2-6400CL5-1GBNT 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
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