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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
69
左右 -138% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.9
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
29
读取速度,GB/s
3,325.1
18.3
写入速度,GB/s
1,441.2
15.9
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
3584
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
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