RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Comparar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
69
Por volta de -138% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.9
1,441.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
29
Velocidade de leitura, GB/s
3,325.1
18.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,441.2
15.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
3584
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link