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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
61
69
Por volta de -13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
1,864.6
1,441.2
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR2
Latência em PassMark, ns
69
61
Velocidade de leitura, GB/s
3,325.1
4,521.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,441.2
1,864.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
5300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
775
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
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