Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB

Pontuação geral
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Pontuação geral
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    61 left arrow 69
    Por volta de -13% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    4 left arrow 3
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    1,864.6 left arrow 1,441.2
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latência em PassMark, ns
    69 left arrow 61
  • Velocidade de leitura, GB/s
    3,325.1 left arrow 4,521.7
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,441.2 left arrow 1,864.6
  • Largura de banda de memória, mbps
    5300 left arrow 5300
Other
  • Descrição
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    525 left arrow 775
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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