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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
61
69
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
1,864.6
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR2
Latence dans PassMark, ns
69
61
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
4,521.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
1,864.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
5300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
775
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB Comparaison des RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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