Confronto tra le RAM Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB

Punteggio complessivo

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

61 69

Intorno -13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

4 3

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

1,864.6 1,441.2

Valore medio nei test

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Temporizzazioni / Velocità di clock

5-5-5-15 / 667 MHz 5-5-5-15 / 667 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

525 775

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns