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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
61
69
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,864.6
1,441.2
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
69
61
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,325.1
4,521.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,441.2
1,864.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
5300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
775
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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