Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB

Gesamtnote
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Gesamtnote
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB

Unterschiede

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    61 left arrow 69
    Rund um -13% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4 left arrow 3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,864.6 left arrow 1,441.2
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    69 left arrow 61
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3,325.1 left arrow 4,521.7
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,441.2 left arrow 1,864.6
  • Speicherbandbreite, mbps
    5300 left arrow 5300
Other
  • Beschreibung
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    525 left arrow 775
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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