RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
61
69
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
1,864.6
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
69
61
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
4,521.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
1,864.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
5300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
775
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link