Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    61 left arrow 69
    Wokół strony -13% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    4 left arrow 3
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    1,864.6 left arrow 1,441.2
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR2
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    69 left arrow 61
  • Prędkość odczytu, GB/s
    3,325.1 left arrow 4,521.7
  • Prędkość zapisu, GB/s
    1,441.2 left arrow 1,864.6
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    5300 left arrow 5300
Other
  • Opis
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    525 left arrow 775
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania