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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Comparar
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
68
69
Por volta de 1% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
1,702.6
1,441.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR2
Latência em PassMark, ns
68
69
Velocidade de leitura, GB/s
3,886.6
3,325.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,702.6
1,441.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
5300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
654
525
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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