RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
17.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
77
Por volta de -148% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
31
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
17.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3711
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link