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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
17.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
77
左右 -148% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
31
读取速度,GB/s
3,405.2
17.7
写入速度,GB/s
2,622.0
17.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3711
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
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