RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Comparar
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
60
68
Por volta de 12% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,381.6
1,702.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
6400
5300
Por volta de 1.21% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR2
Latência em PassMark, ns
60
68
Velocidade de leitura, GB/s
5,082.2
3,886.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,381.6
1,702.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
5300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
925
654
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link