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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
总分
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
总分
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
60
68
左右 12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
5
3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,381.6
1,702.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
6400
5300
左右 1.21% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
60
68
读取速度,GB/s
5,082.2
3,886.6
写入速度,GB/s
2,381.6
1,702.6
内存带宽,mbps
6400
5300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
排名PassMark (越多越好)
925
654
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB RAM的比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
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