Comparación de la memoria RAM SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Puntuación global

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

60 68

En 12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

5 3

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

2,381.6 1,702.6

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

6400 5300

En 1.21% mayor ancho de banda

Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Lista completa de especificaciones técnicas

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Principales características

Other

Descripción

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tiempos / Velocidad del reloj

5-5-5-15 / 800 MHz 5-5-5-15 / 667 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

925 654

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns