Confronto tra le RAM SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Punteggio complessivo

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

60 68

Intorno 12% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

5 3

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

2,381.6 1,702.6

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

6400 5300

Intorno 1.21% larghezza di banda superiore

Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Elenco completo delle specifiche tecniche

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Temporizzazioni / Velocità di clock

5-5-5-15 / 800 MHz 5-5-5-15 / 667 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

925 654

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns