Confronto tra le RAM Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Punteggio complessivo

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

3 3

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

1,702.6 1,592.0

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

65 68

Intorno -5% latenza inferiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Temporizzazioni / Velocità di clock

5-5-5-15 / 667 MHz 5-5-5-15 / 667 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

654 572

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns