Comparaison de la RAM Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Note globale

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

3 3

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

1,702.6 1,592.0

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

65 68

Autour de -5% latence réduite

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Vitesse d'horloge

5-5-5-15 / 667 MHz 5-5-5-15 / 667 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

654 572

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns