Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    1,702.6 left arrow 1,592.0
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    65 left arrow 68
    Около -5% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR2
  • Задержка в PassMark, нс
    68 left arrow 65
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,886.6 left arrow 3,580.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,702.6 left arrow 1,592.0
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 5300
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    654 left arrow 572
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения