Comparação RAM Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Pontuação geral

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

3 3

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

1,702.6 1,592.0

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

65 68

Por volta de -5% menor latência

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Características principais

Other

Descrição

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tempos / Velocidade do relógio

5-5-5-15 / 667 MHz 5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

654 572

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns