Comparação RAM Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Pontuação geral

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

27 65

Por volta de 58% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

7.8 1,592.0

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

12800 5300

Por volta de 2.42% maior largura de banda

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tempos / Velocidade do relógio

9-9-9-24 / 1600 MHz 5-5-5-15 / 667 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

1763 572

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns