Comparación de la memoria RAM Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Puntuación global

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

3 3

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

1,702.6 1,592.0

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

65 68

En -5% menor latencia

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Principales características

Other

Descripción

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tiempos / Velocidad del reloj

5-5-5-15 / 667 MHz 5-5-5-15 / 667 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

654 572

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns