RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Confronto
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Punteggio complessivo
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
52
Intorno 19% latenza inferiore
Motivi da considerare
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.5
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
52
Velocità di lettura, GB/s
10.6
20.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
10.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2150
2472
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/4G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link