RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
52
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
52
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2472
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link