RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gesamtnote
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
52
Rund um 19% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.5
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
52
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
20.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
10.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2150
2472
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kllisre 0000 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6N1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link