RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
42
Rund um -20% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.2
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
10.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2150
2768
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link