RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
42
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
35
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2768
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link