RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
60
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
2.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
60
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
7.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
2.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
1505
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link