RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Compara
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
60
En 38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
2.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
60
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
7.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
2.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
1505
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link