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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
34
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.2
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.1
5.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
30
Velocidad de lectura, GB/s
8.6
22.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.8
17.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1682
3871
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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