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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Compara
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
38
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.5
13.2
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
37
38
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2259
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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