Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB

Gesamtnote
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Gesamtnote
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Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB

Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB

Unterschiede

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    37 left arrow 38
    Rund um 3% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.5 left arrow 13.2
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    37 left arrow 38
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.2 left arrow 13.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.4 left arrow 8.4
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2143 left arrow 2259
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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