RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Сравнить
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
38
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.5
13.2
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
37
38
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
13.5
Скорость записи, Гб/сек
8.4
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
10600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2259
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link